(相关资料图)
7月5日，半导体供应商Nexperia推出一系列600 V器件，以30 A NGW30T60M3DF为起点进入绝缘栅双极晶体管（IGBT）市场。
图片来源：Nexperia
通过将IGBT添加到其广泛的产品组合中，Nexperia旨在满足对具有一系列性能和成本要求的高效高压开关器件不断增长的需求。新系列器件可在功率转换和电机驱动应用中实现更高的功率密度，包括工业电机驱动器，例如5至20 kW（20 kHz）的伺服电机、机器人、电梯、操作夹具、在线制造、电源逆变器、不间断电源（UPS）、光伏（PV）串、电动汽车（EV）充电以及感应加热和焊接。
IGBT是一项相对成熟的技术。尽管如此，随着太阳能电池板和电动汽车充电器的普及，这些设备的市场预计还将不断增长。
Nexperia的600 V IGBT采用稳健、经济高效的载流子存储沟槽栅极先进场截止（FS）结构，可在高达175°C的工作温度下提供极低的传导和开关损耗性能，以及高水平的耐用性。
设计人员有中速（M3）和高速（H3）系列IGBT两种选择。这些IGBT的设计具有非常严格的参数分布，允许多个设备安全地并联连接。此外，与竞品相比，新系列IGBT热阻更低，因此能够提供更高的输出功率。这些IGBT也完全被评为软快速反向恢复二极管。这意味着它们适用于整流器和双向电路应用或防止过流情况。
Nexperia绝缘栅双极晶体管和模块事业部总经理Ke Jiang博士表示：“随着新系列IGBT的发布，Nexperia为设计人员提供了更多适合各种电源应用的电源开关器件选择。IGBT是对Nexperia现有CMOS和宽带隙开关器件系列的理想补充，使Nexperia成为电力电子设计人员的一站式商店。”
